– 論文發表於14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ 2025) –
東京2025年11月17日 /美通社/ — 總部位於東京的Taiyo Holdings Co., Ltd.（證券代碼：4626；以下簡稱「Taiyo Holdings」）於2025年11月13日在14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2025)上發表與全球頂尖半導體研究機構imec共同撰寫的論文，重點介紹了作為次世代半導體封裝材料開發的、用於大馬士革工藝的細間距RDL (*1)負型光敏絕緣材料「FPIM (TM) Series」（以下簡稱「該材料」）。
RDL是實現先進半導體封裝結構中高效電氣連接的重要技術，目前主要採用半加成工藝(SAP) (*2)製造。imec指出，隨著佈線細微化需求發展，未來要形成線間距1.6微米及以下的互連結構，大馬士革工藝(*3)將成為必要技術。為此，Taiyo Holdings持續開發專用於大馬士革工藝的次世代細間距RDL材料，並自2022年10月起與imec展開共同研究。本研究運用該材料在12吋晶圓上成功形成三層RDL結構，經評估各層佈線間距均達成目標規格：晶圓上RDL1層CD (*4)達1.6微米、通孔層CD為2.0微米（通孔中心間距為CD 4.0微米）、RDL2層CD為1.6微米。這些數值極接近本研究採用的低NA stepper (*5)的解析極限。此外，針對CD 1.6微米的RDL1層進行電氣特性評估，其漏電電流與阻抗表現均屬良好。透過與imec的共同研究，確認該材料具備優異電氣特性、高解析度，以及適應CMP工藝(*6)的品質要求。
未來，公司目標是實現在CD 500納米或更小的晶圓上構建RDL，並持續驗證電氣特性之長期性能與可靠性。Taiyo Holdings將持續開發有助推動半導體封裝領域進步的材料，包括進一步提升AI半導體性能。此外，該材料已於2025年開始提供R&D用小批量樣品。
註：
（*1）RDL（重佈線層）為形成於半導體晶片表面、用以重新分佈電氣佈線的層狀結構。
（*2）先於整體表面形成薄籽晶層，再透過電鍍於佈線區域形成佈線圖形之法。
（*3）於絕緣膜形成佈線溝槽，透過濺鍍、CVD、電鍍等方式填充溝槽並形成圖形之法。
（*4）CD（關鍵尺寸）指微細圖形的尺寸規格。
（*5）Veeco Low NA (0.16) i-line曝光系統AP300（第一代）。
（*6）CMP（化學機械平坦化）工藝是半導體製造中透過化學與機械作用使晶圓表面平坦化的製程。
共同發表論文標題
Development of 1.6 micrometer Fine-Pitch RDL Damascene Process using Low-NA i-Line Stepper and a New Negative-tone Photosensitive Dielectric Material（使用Low-NA i-Line Stepper和新的負型光敏介電材料開發1.6微米細間距RDL大馬士革工藝）
評估樣品結構：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI1fl_9Rzhabg4.png
產品圖片：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI2fl_yb3oqDfr.png
關於imec與Taiyo Holdings的合作
總部位於比利時的imec，全稱為「Interuniversity Microelectronics Centre」，是全球最大的半導體研究機構之一，透過與全球大學及企業合作推動開放創新，促進前沿半導體技術發展。2022年10月，imec與Taiyo Holdings開始就大馬士革工藝用細間距RDL負型光敏絕緣材料（一種次世代半導體封裝材料）展開共同研究。自2024年11月起，Taiyo Holdings派駐研究員至imec，建立更緊密合作環境，持續進行先進半導體材料之日常研發工作。
– Taiyo Holdings Co., Ltd.公司概況：
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202511108806-O1-ttbIvpYv.pdf
消息來源: Taiyo Holdings Co. Ltd.